东科半导体推出合封GaN芯片,助力高功率密度进化_科技频道_东方

时间: 2021-01-02 12:39    来源: 未知   
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东科半导体近日推出了一款国内首颗合封GaN电源管理芯片,DKG045Q系列,这款芯片内部集成了650V/200mΩ导阻的GaN HEMT,逻辑控制器,GaN驱动器和高压启动管,采用反激方式,DFN5x6mm封装,输出功率45W,最高工作频率150KHz。首先来看东科的Demo吧。

东科这款Demo板是一款典型的PD适配器,其采用QR反激架构,最大输出功率45W,支持宽电压输入,输出常见的5-20V PD规格,尺寸仅为43.1*36.1*19.6mm,整机功率密度达1.12W/cm?。

Demo板使用合封GaN和合封同步整流,元件非常简洁。

与友商对比,东科这款Demo仅有64个元器件,简洁很多,大大降低成本,加快产品研发上市速度,把握更多商机。

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